高溫動態(tài)柵偏老化測試系統(tǒng)(DHTGB2010)

該系統(tǒng)針對第三代SiC MOSFET具有動態(tài)柵偏老化測試能力，每塊試驗區(qū)可獨立老化測試12工位，獨立12路可配置脈沖，測試柵極漏電流相互之間不干擾?？蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。

功能

高速dv/dt>1V/ns
nA級漏電流測試
閱值電壓測試
可根據(jù)不同器件封裝、功率等要求，定制專用老化測試板
充分的實驗員人體安全考慮設定

產品特性

試驗溫度	室溫+10℃~200℃（熱板形式加熱）
老化測試區(qū)	8區(qū)(可擴容)
單區(qū)工位	12（典型）
試驗方法	VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max
VGS電壓控制檢測	試驗控制范圍:±35V 檢測誤差:±1%±2LSB:電壓分辨率:0.01V
脈沖控制	1.脈沖頻率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB 2.方波占空比5%~95%; 精度:±2% 3.動態(tài)DGS試驗時,柵極電壓斜率可達dv/dt>1V/ns(Ciss＜5nF) 4.電壓過沖<10% (測試電壓幅度大于25V)
閥值電壓VGSTH	1.VGS電壓測控范圍:1~10V 2.分辨率為0.01V,精度:1%±0.01V
IGS漏電流檢測	檢測范圍:1nA-99.9uA 第一檔1nA -99nA 分辨率1nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB 第二檔100nA -999nA 分辨率10nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB 第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB
整機供電	三相AC380V±38V
整機重量	700KG
整機尺寸	800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H)

適用標準

AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

適用器件

可對半導體分立器件(SiC MOSFET單管及模塊)進行高溫動態(tài)柵偏試驗