高溫高濕動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)(DH3TRB2000)

該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進(jìn)行高溫高濕動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進(jìn)行最高10個工位的測試，工位具備獨立脈沖源配置?？蔀槠骷峁?biāo)準(zhǔn)85℃/85%RH試驗環(huán)境。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。

功能

nA級別的漏電流檢測精度
整機30s的全工位數(shù)據(jù)刷新
獨特高壓抑制電路，器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進(jìn)程
可定制工位老化電壓獨立控制功能，實現(xiàn)單工位老化超限別除
充分的實驗員人體安全考慮設(shè)定

產(chǎn)品特性

試驗溫度	室溫+10℃~125℃
試驗濕度	10%RH-98%RH
試驗方法	VGs,off = VGS,min and VGS on = VGS,max
老化測試區(qū)	16區(qū)
單區(qū)工位	8工位
電壓范圍	50V-1200V
電壓精度	檢測誤差:±1%±2LSB
脈沖控制	1.脈沖頻率(方波):10KHz~ 50kHz 精度:2%±2LSB 2.方波占空比20%-80%; 精度:±2% 3.電壓上升率 (Dw/Dt) ≥30W/ns 4.電壓過沖＜15%
VGS電壓測控范出	根器件定制 VGS精度:1%±0.2V VGS過沖:≤10%
漏電流檢測	檢測范圍:100nA~30mA 精度: 第一檔0.1uA -1mA 分牌率0.1uA 漏電流測量誤差1%±2LSB 第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB
整機供電	三相AC380V±38V
整機重量	1200KG(典型)
整機尺寸	1650mm(w)x1750mm(D)x1950mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

適用器件

適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等，SIC、GAN